그냥 하나의 모형을 얘기하시는 거에요. 반도체 소자의 정류현상 (전압 방향에 따라 전류 크기가 달라지는 것)은 실존하는 것이고요. 그 이유를 설명하기 위해 만든 여러가지 가설 중에 제일 단순한 거 하나를 골라서 보여준거 뿐이에요.

실제로 전자를 본 사람은 역사상 아무도 없습니다.
전자들이 떼로 떠돌아다니는걸 전류라고 하는데, 그거 본 사람도 없습니다.

아무도 없다는 걸, 하이델베르크 라는 물리학자가 증명하는 이론을 발표했구요. 그러니, 무슨 얘기를 하더라도, 틀렸다고 반박하기 어려운거에요.

반도체업을 하는 사람으로서 답변을 드리지만... 화공학도라 아는범위내에서만 설명을 드릴게요

일단, 도체/부도체/반도체에 대해서 알아야할것 같은데요
모든 물체의 전자는 에너지 상태가 낮은 valence band와 에너지 상태가 높은 conduction band로 구성되어있습니다. 이 밴드 사이의 갭을 band gap이라 하죠.

conduction band쪽으로 전자가 넘어가야지만(전자가 에너지를 받고 에너지 준위 상승=에너지 밴드 상승), 전류가 흐를 수 있는데요..

부도체의 경우, 밴드갭이 커서 valence band->conduction으로 이동이 거의~안됩니다.
반도체의 경우 밴드갭이 작아 이것이 가능하고요..

따라서, 말씀하시는 걸 보면
반도체의 경우 전자들이 움직임이 없는 낮은 에너지 준위 상태, 즉 valence band쪽에 전자가 모여있어 전류가 흐르지 않으나
forward bias, 즉 밴드갭 이상의 힘을 주어 에너지 준위가 높은 상태로 점프 시킬 만한 힘을 주게 되어 전류가 흐르게 된다.

이 때, 전류가 흐르게 되는 것은 전자의 에너지 상승 = 에너지 밴드의 상승이라고 볼 수 있게 됩니다.  정확한지는 모르겠지만 제가 아는것은 이렇네요....

요즘 한국 교육이 어떻게 이루어지는지 알지못합니다만. 현상을 먼저 배우고, 이론은 간단한 소개로 지나가는 것이 합리적입니다.

에너지 밴드 모형은 가장 단순화 시킨 것입니다. 실제는 도체와 부도체, 반도체의 경계도 애매합니다. 지금 시장에 나와있는 플래쉬 메모리, 한창 연구중인 멤리스터, 그리고 여러가지 메타 머티리얼 등등은 그런 간단한 모형으로 설명할 수 없어요.

전자 입장에서의 에너지라 그렇습니다. E=-qV