wet ehcing 질문입니다.
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빵뜨아 작성일2017-05-30 17:57관련링크
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이번에 lithograpy를 이용해서 패턴을 제작하고 하는데 증착재료는 인듐이고
질산을 dI-water에 100:4로 묽혀서 etchant로 사용하려고 합니다. 근데 postive PR을 씌우고 Develope 한 다음 질산을 묽힌 ethchant를 가지고 wet etching 했을 때, pr이 버틸까요???ㅠㅠ
이번에 반도체 공정 부분을 처음 접하고 공부를 시작하는 단계라 많이 부족합니다ㅜㅜ
많은 도움 부탁드립니다.
p.s) 그리고 추가적으로 궁금한 것이 negative pr로 패턴을 만들어서 etching 시키면 etching 후에 금속 패턴위에 cross link된 pr이 남잖아요? 남아있는 pr을 제거 할 방법이 있을까요?? pr은 microchemical 사의 제품을 예비 실험으로 받아서 실험하고 있는데 microchemical 사의 data sheet를 보니 cross link되서 완벽하게 제거하기가 불가능하다는데 다른 방법이 있을까요??ㅜㅠ
댓글 5
돌아온백수님의 댓글
돌아온백수lift-off 는 고려해보지 않았나요?
빵뜨아님의 댓글
빵뜨아고려하고 있습니다, 하지만 제가 가지고 있는 pr이 micochemical사의 postive와 su-8 제품을 가지고 있는데 제가 가지고 있는 pr로 최대한 해결하고 싶은데 lift-off를 하려면 새로 pr을 사야되는지 아니면 있는 pr로 할 수 있는지 잘 몰라서 결정을 하지 못한 상황입니다.
갈아만든공돌이주스님의 댓글
갈아만든공돌이주스PR 제조사 마다 다를 걸요.
매직님의 댓글
매직
1) Novolak PR이라면 저 정도 산에는 큰 문제가 없을 것으로 보입니다. 쓰시는 PR의 Sheet resistance를 확인하세요. 20% nitric acid에는 8시간 정도 버티는 걸로 어떤 Novolak PR 제품에는 나와있군요. 이 제품 대비해서 생각해보면 4% 정도니까, 뭐 충분히 오래 버틸 거라고 봅니다. 그렇지만, 일반 실험실에서 가장 많이 쓰는 g-line, i-line 제품이 아니라면, 산은 추천드리지 않습니다. PHS, PAcryl, SSQ는 모두 Acid 반응을 통해 soluble하게 변하는 것들이라..
2) Negative PR이 Cross link된건 Exposed 된 것이니까 당연히 Develop하기 어렵습니다. 궁금하신건 Cross link된 PR을 제거하는 액이 있느냐고 물어보시는 것인데 당연히 있죠! Stripping 이라고 합니다. 님이 보신 Data Sheet에 있는건 Development 아닙니까? 잔여 PR의 수준이 어느 정도인지는 모르겠는데, 보통은 깨끗하게 제거 될텐데...
매직님의 댓글
매직
아 물론 반도체공정에서 PR은 Bulk 쪽에 절대로 쓰지 않습니다. 왜냐하면 잔여 Carbon들이 남기 때문이죠... 아마 남는다라는 의미가 반도체공정에서 의미하는 Bulk Si에 쓰지 말라는 정도가 아닐까 싶은데요.
