PR 코팅과 기판의 극성변화에 대해서 여쭙겠습니다.

글쓴이
빈깡통
등록일
2016-06-02 11:21
조회
7,584회
추천
0건
댓글
10건
초기 SiO2 기판의 표면은 친수성이였으나 PR을 코팅한후 PR을 다시 제거하면 SiO2 기판의 극성이 소수성으로 변합니다. 

PR은 AZ5213E 를 사용하고요 공정과정은 다음과 같습니다.
PR코팅 -> 120oC baking(2분30초) -> 아세톤 (4분) -> 메탄올(4분) -> DI water (4분)

왜 SiO2 기판의 극성이 친수성에서 소수성으로 변하게 되는걸까요?
혹시 PR이 완전히 제거되지 않고 기판에 남아 있어서 그런걸까요?

  • 돌아온백수 ()

    이 PR이 image reversal 인가요? 120도는 cross-linking 이 시작되는 온도가 넘는데.... HMDS를 사용하지는 않으셨나요?

    여러가지 가능성이 있는데요. 일단, 메탄올이 완전히 제거되지 않았을 수도 있고요.
    원래, 물은 사용할 필요가 없는데, 왜 물을?

    현상은 뭔가 표면에 남아있는 겁니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다!
    사용한 PR은 image reversal PR입니다. 그리고 HMDS는 사용하지 않았습니다.
    메탄올 이후에 물을 사용한것은 메탄올을 씻어내기 위함이였는데 필요 없는 과정인가요?

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    아! 그리고 노광은 하지 않았습니다. 단지 테스트용으로 PR코팅후 PR을 제거하는 과정만 했습니다.

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    돌백님도 리소그래피쪽을 하셨나보네요..그런데 Image reversal PR 뭔가요?
    Negative PR을 말씀하시는건지?

    소수, 친수에 대해 초딩수준밖에 모르지만.. 그냥 제 막연한 생각엔...
    뭔가 현상이 덜 되서 기름막이 생긴게 아닐까요?... -ㅂ-

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    아 여기서는 현상이라기보다 Rework이란 말을 쓰는게 더 맞는거 같네요,

  • 댓글의 댓글 돌아온백수 ()

    알콜은 증발됩니다. 씻어내지 않아도 되고요.
    120도 온도면, PR의  molecular weight 가 더 증가해서 용해속도가 늦어져요. 여전히 표면에 남아 있습니다.

    먼저 핫플레이트의 온도를 캘리브레이션 하셔야 하고요. 95도 에서 glass transition 이 일어날거에요. 그보다 높은 온도면 됩니다.

    노광후에는 110 도 이상에서 cross-linking 이 시작될텐데요.

    그런데, 아직도 이런 PR 을 쓰나요? 30년이 더 넘은 제품일텐데.....

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    이야.. 대단하시내요 명확한 답변에 감탄하고 갑니다. 도움이 많이 되었습니다

  • kinetics ()

    말라서 갈라진 땅에 물을 부으면 티도 안나는 것과 같지.
    거런데는 비를 기다리거나 포기하거나.

  • 세희아빠 ()

    아세톤으로 PR REMOVE 하는 걸 보니, POSI PR을 사용하시는 것 같은데, 아세톤 처리
    시간이 너무 짧은 것 같습니다.
    110도 이상 온도에서 BAKE 진행 시 최소 10분 정도 아세톤 처리 후 DI RINSE 시 제거 되는
    경험이 있습니다. (PHOTO/ETCH 공정 관련 엔지니어 근무 중)
    DI RINSE가 꼭 필요없다면, IPA 처리 후 N2 건조도 가능하니 참고 바랍니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다. 아세톤 처리 시간을 좀더 늘려봐야할것 같습니다. 감사합니다!! 많은 도움이 된것 같습니다.

목록


과학기술Q&A

게시판 리스트
번호 제목 글쓴이 등록일 조회 추천
4044 XRD 분석 후 crystal system 을 아는 방법. 댓글 3 우악어쩌나 09-22 10168 0
4043 방위산업에서의 자동화 댓글 1 괴물체력 09-19 4438 0
4042 반도체공학에 관련 질문 댓글 5 밝은미래를위해 09-15 5670 0
4041 밴드갭 측정과 관련해서 질문좀 드리겠습니다. 댓글 1 빈깡통 09-08 14153 0
4040 UPS 측정과 workfunction 측정에 관해 질문이 있습니다. 댓글 4 빈깡통 09-08 23519 0
4039 CAE분야에 관해 질문드려요 ger공도리 09-07 4819 0
4038 유체역학 고수님들에게 질문합니다....(베르누이 방정식+기체 분자의 평균 운동속도) wodls929 09-01 7675 0
4037 코딩과 프로그래밍을 연구하는 사이트는 굉장히 많은데 소프트웨어 공학은 그런거 없나요? 댓글 3 더스트러시 08-31 5436 0
4036 사출물 설계표준에 관한 책 있나요? 응삼이 08-30 4192 0
4035 C 함수중에서 PID 전용함수가 없나요 댓글 3 웃음 08-21 5039 0
4034 공정모사 시뮬레이션 aspen이라고 들어보셨나요? 댓글 8 스치듯우리 08-18 16242 0
4033 푸리에 변환과 라플라스 변환의 차이점과 이용되는곳? 댓글 2 섀우꺙 08-18 9241 0
4032 인류가 뇌를 진화시킨 이유를 알고싶습니다. 댓글 8 고등업니다 08-16 6131 0
4031 여기에 수학질문을 해도 될지 모르겠습니다... 댓글 2 BENGE 08-14 4569 0
4030 포트란 프로그램에 대해 궁금한 점이 있습니다. 댓글 4 빡시다 08-11 4740 0
4029 자동차 급발진에 대해 어떻게 생각하세요?? 댓글 4 차이나 08-08 4915 0
4028 etch에 대해서 질문 있습니다!!! 공돌이키 08-07 3771 0
4027 광통신과 사물인터넷의 연관성.. 댓글 2 이런당 08-04 4745 0
4026 디스플레이 분야 전망 댓글 1 대학과대학원 07-27 4600 0
4025 양자점(퀀텀닷)에 대한 비전이 궁금합니다... 댓글 3 진학하자 07-26 5408 0


랜덤글로 점프
과학기술인이 한국의 미래를 만듭니다.
© 2002 - 2015 scieng.net
모바일 버전으로 보기