PR 코팅과 기판의 극성변화에 대해서 여쭙겠습니다.

글쓴이
빈깡통
등록일
2016-06-02 11:21
조회
7,730회
추천
0건
댓글
10건
초기 SiO2 기판의 표면은 친수성이였으나 PR을 코팅한후 PR을 다시 제거하면 SiO2 기판의 극성이 소수성으로 변합니다. 

PR은 AZ5213E 를 사용하고요 공정과정은 다음과 같습니다.
PR코팅 -> 120oC baking(2분30초) -> 아세톤 (4분) -> 메탄올(4분) -> DI water (4분)

왜 SiO2 기판의 극성이 친수성에서 소수성으로 변하게 되는걸까요?
혹시 PR이 완전히 제거되지 않고 기판에 남아 있어서 그런걸까요?

  • 돌아온백수 ()

    이 PR이 image reversal 인가요? 120도는 cross-linking 이 시작되는 온도가 넘는데.... HMDS를 사용하지는 않으셨나요?

    여러가지 가능성이 있는데요. 일단, 메탄올이 완전히 제거되지 않았을 수도 있고요.
    원래, 물은 사용할 필요가 없는데, 왜 물을?

    현상은 뭔가 표면에 남아있는 겁니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다!
    사용한 PR은 image reversal PR입니다. 그리고 HMDS는 사용하지 않았습니다.
    메탄올 이후에 물을 사용한것은 메탄올을 씻어내기 위함이였는데 필요 없는 과정인가요?

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    아! 그리고 노광은 하지 않았습니다. 단지 테스트용으로 PR코팅후 PR을 제거하는 과정만 했습니다.

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    돌백님도 리소그래피쪽을 하셨나보네요..그런데 Image reversal PR 뭔가요?
    Negative PR을 말씀하시는건지?

    소수, 친수에 대해 초딩수준밖에 모르지만.. 그냥 제 막연한 생각엔...
    뭔가 현상이 덜 되서 기름막이 생긴게 아닐까요?... -ㅂ-

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    아 여기서는 현상이라기보다 Rework이란 말을 쓰는게 더 맞는거 같네요,

  • 댓글의 댓글 돌아온백수 ()

    알콜은 증발됩니다. 씻어내지 않아도 되고요.
    120도 온도면, PR의  molecular weight 가 더 증가해서 용해속도가 늦어져요. 여전히 표면에 남아 있습니다.

    먼저 핫플레이트의 온도를 캘리브레이션 하셔야 하고요. 95도 에서 glass transition 이 일어날거에요. 그보다 높은 온도면 됩니다.

    노광후에는 110 도 이상에서 cross-linking 이 시작될텐데요.

    그런데, 아직도 이런 PR 을 쓰나요? 30년이 더 넘은 제품일텐데.....

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    이야.. 대단하시내요 명확한 답변에 감탄하고 갑니다. 도움이 많이 되었습니다

  • kinetics ()

    말라서 갈라진 땅에 물을 부으면 티도 안나는 것과 같지.
    거런데는 비를 기다리거나 포기하거나.

  • 세희아빠 ()

    아세톤으로 PR REMOVE 하는 걸 보니, POSI PR을 사용하시는 것 같은데, 아세톤 처리
    시간이 너무 짧은 것 같습니다.
    110도 이상 온도에서 BAKE 진행 시 최소 10분 정도 아세톤 처리 후 DI RINSE 시 제거 되는
    경험이 있습니다. (PHOTO/ETCH 공정 관련 엔지니어 근무 중)
    DI RINSE가 꼭 필요없다면, IPA 처리 후 N2 건조도 가능하니 참고 바랍니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다. 아세톤 처리 시간을 좀더 늘려봐야할것 같습니다. 감사합니다!! 많은 도움이 된것 같습니다.

목록


과학기술Q&A

게시판 리스트
번호 제목 글쓴이 등록일 조회 추천
4184 반도체 관련 질문입니다~! Goldboy 01-25 3695 0
4183 전기자동차 냉난방시스템 댓글 1 일제공돌짱 01-18 3850 0
4182 유한요소, 수치해석 책 추천 부탁드려요! 댓글 1 슈프림치킨 01-14 4293 0
4181 colloid를 solution 으로 녹일 수 있을까요? 댓글 2 고민이많구만 01-09 3908 0
4180 안녕하세요 열역학 질문입니다. IamI 01-07 2935 0
4179 윈도우용 명령 터미널 추천 좀 부탁 드립니다. 댓글 1 개발원 12-30 3424 0
4178 안녕하세요~[물리광학]다중슬릿 질문입니다. 댓글 5 유랑소년 12-27 5525 0
4177 매트랩을 이용해 2D Cavity Flow를 만들어보고 싶은데 교재추천 부탁드립니다~!(CFD) 연구자67 12-23 3468 0
4176 CAE 프로그램 댓글 9 wisedug 12-19 7752 0
4175 고체는 전기분해가 안되나요?? 댓글 1 고민이많구만 12-14 3436 0
4174 acid 말고 base 에서 분해되는 barium salt 가 없을까요? 댓글 2 고민이많구만 12-14 2816 0
4173 물리학과에서 하는 oled나 태양전지에 대한 선수지식 댓글 3 벤스트리트만 12-08 3470 0
4172 Photocurrent에 대해 궁금합니다. 댓글 5 로이김 12-07 5701 0
4171 디지털 회로 설계 질문입니다. 공학in 12-05 3573 0
4170 IEEE 논문 투고 관련하여 질문드립니다. Starter 12-04 3726 0
4169 신호처리 컨퍼런스 고르덕 12-04 2767 0
4168 CFD나 구조해석 같은건 거의 보여주기식인가요? 댓글 5 전자공돌이 11-30 4028 0
4167 디지털 회로설계 분야에대해 질문있습니다. 댓글 7 공학in 12-01 8095 0
4166 docker container에서 mysql 설치 할 때 문제가 발생합니다. 댓글 3 개발원 11-27 3405 0
4165 통계 도와주세요.. 산포 분석할 때 댓글 2 세분이네분 11-26 4419 0


랜덤글로 점프
과학기술인이 한국의 미래를 만듭니다.
© 2002 - 2015 scieng.net
모바일 버전으로 보기