PR 코팅과 기판의 극성변화에 대해서 여쭙겠습니다.

글쓴이
빈깡통
등록일
2016-06-02 11:21
조회
7,670회
추천
0건
댓글
10건
초기 SiO2 기판의 표면은 친수성이였으나 PR을 코팅한후 PR을 다시 제거하면 SiO2 기판의 극성이 소수성으로 변합니다. 

PR은 AZ5213E 를 사용하고요 공정과정은 다음과 같습니다.
PR코팅 -> 120oC baking(2분30초) -> 아세톤 (4분) -> 메탄올(4분) -> DI water (4분)

왜 SiO2 기판의 극성이 친수성에서 소수성으로 변하게 되는걸까요?
혹시 PR이 완전히 제거되지 않고 기판에 남아 있어서 그런걸까요?

  • 돌아온백수 ()

    이 PR이 image reversal 인가요? 120도는 cross-linking 이 시작되는 온도가 넘는데.... HMDS를 사용하지는 않으셨나요?

    여러가지 가능성이 있는데요. 일단, 메탄올이 완전히 제거되지 않았을 수도 있고요.
    원래, 물은 사용할 필요가 없는데, 왜 물을?

    현상은 뭔가 표면에 남아있는 겁니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다!
    사용한 PR은 image reversal PR입니다. 그리고 HMDS는 사용하지 않았습니다.
    메탄올 이후에 물을 사용한것은 메탄올을 씻어내기 위함이였는데 필요 없는 과정인가요?

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    아! 그리고 노광은 하지 않았습니다. 단지 테스트용으로 PR코팅후 PR을 제거하는 과정만 했습니다.

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    돌백님도 리소그래피쪽을 하셨나보네요..그런데 Image reversal PR 뭔가요?
    Negative PR을 말씀하시는건지?

    소수, 친수에 대해 초딩수준밖에 모르지만.. 그냥 제 막연한 생각엔...
    뭔가 현상이 덜 되서 기름막이 생긴게 아닐까요?... -ㅂ-

  • 댓글의 댓글 쿠오바디스공도리 ()

    아 여기서는 현상이라기보다 Rework이란 말을 쓰는게 더 맞는거 같네요,

  • 댓글의 댓글 돌아온백수 ()

    알콜은 증발됩니다. 씻어내지 않아도 되고요.
    120도 온도면, PR의  molecular weight 가 더 증가해서 용해속도가 늦어져요. 여전히 표면에 남아 있습니다.

    먼저 핫플레이트의 온도를 캘리브레이션 하셔야 하고요. 95도 에서 glass transition 이 일어날거에요. 그보다 높은 온도면 됩니다.

    노광후에는 110 도 이상에서 cross-linking 이 시작될텐데요.

    그런데, 아직도 이런 PR 을 쓰나요? 30년이 더 넘은 제품일텐데.....

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    이야.. 대단하시내요 명확한 답변에 감탄하고 갑니다. 도움이 많이 되었습니다

  • kinetics ()

    말라서 갈라진 땅에 물을 부으면 티도 안나는 것과 같지.
    거런데는 비를 기다리거나 포기하거나.

  • 세희아빠 ()

    아세톤으로 PR REMOVE 하는 걸 보니, POSI PR을 사용하시는 것 같은데, 아세톤 처리
    시간이 너무 짧은 것 같습니다.
    110도 이상 온도에서 BAKE 진행 시 최소 10분 정도 아세톤 처리 후 DI RINSE 시 제거 되는
    경험이 있습니다. (PHOTO/ETCH 공정 관련 엔지니어 근무 중)
    DI RINSE가 꼭 필요없다면, IPA 처리 후 N2 건조도 가능하니 참고 바랍니다.

  • 댓글의 댓글 빈깡통 ()

    답변 정말 감사합니다. 아세톤 처리 시간을 좀더 늘려봐야할것 같습니다. 감사합니다!! 많은 도움이 된것 같습니다.

목록


과학기술Q&A

게시판 리스트
번호 제목 글쓴이 등록일 조회 추천
4164 scalar/vector function에서 수학 기호 R^n, V^n과 vector function/fie… 댓글 8 몽굴 11-25 5167 0
4163 NSC논문들 기사형식으로 올라오는 사이트 없을까요? 댓글 7 고민이많구만 11-20 3927 0
4162 미분형식 질문. 댓글 1 수학적행복 11-19 3580 0
4161 양자론 기초지식 질문드립니다. 댓글 8 두비두둡 11-06 4447 0
4160 gidl, Hot carrier effect, SOI, Fin FET 질문있습니다. 댓글 10 돌땡이22 11-03 9131 0
4159 디스플레이 전자이동도와 개구율의 관계 댓글 1 대기업취업하고싶다 11-03 3052 0
4158 RTM 방식의 몰드 구입하셔보신분 댓글 1 DHMGBRO 11-01 3193 0
4157 film 의 porosity 를 조정하는 방법들이 뭐가있을까요 고민이많구만 10-23 2767 0
4156 디지털논리회로 간단한 3문제 질문드립니다. 댓글 19 창업꿈나무 10-20 6975 0
4155 나노단위에서도 금속의 산화환원도는 같은가요? 댓글 1 canislupus 10-12 3491 0
4154 Gamma-ray 검출 회로 관련 질문이있습니다. 박봉찬 10-12 2643 0
4153 진변형률=로그변형률? 과학인13 10-05 4454 0
4152 고체화학에 대해 질문드립니다. 댓글 2 sky729310 09-28 3341 0
4151 (기계공학)열역학과 열전달 관련 질문 드립니다. 댓글 1 guzzi 09-28 4447 0
4150 인공지능이 하드웨어 설계도 할 수 있을까요... 댓글 5 겸손 09-28 4657 0
4149 전자공학에서 나오는 근궤적을 C언어로 바꾸는 건 어떻게 하나요? 크롬비 09-26 3269 0
4148 아무것도 모름에 가까운 고등학생이 하는 질문 댓글 25 nusky 09-09 5343 0
4147 ACS 저널에 Submit 해보신 분 조언 부탁드립니다. 댓글 2 Hera_P 09-07 3686 0
4146 배는 스쿠류 힘으로진행 한다 또 다른 방법이 있다 댓글 1 참나리 09-04 3281 0
4145 답변글 Re: 배는 스쿠류 힘으로진행 한다 또 다른 방법이 있다 참나리 09-05 3151 0


랜덤글로 점프
과학기술인이 한국의 미래를 만듭니다.
© 2002 - 2015 scieng.net
모바일 버전으로 보기