UPS 측정과 workfunction 측정에 관해 질문이 있습니다.

글쓴이
빈깡통
등록일
2016-09-08 14:36
조회
8,710회
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댓글
4건
최근 SiO2 기판위에 스퍼터를 사용하여 Pt를 200nm 증착한 샘플을 UPS 로 측정하였습니다.

측정한 데이터는 첨부하였습니다.

데이터를 보시면 Ef가 이 0eV에 있지 않습니다.  (-0.8eV 정도됨)
(측정해주신분께서는 장비에 바이어스를 줄 수 있는 방법이 없어서 0eV에 못맞췄다고 하시면서
+0.8eV 쉬프트하면 될거라고 하셨습니다.)

궁금한 것은 제가 문헌등을 찾았을때 나온 Pt의 work function은 5eV 이상이였습니다.
그런데 보시다 시피.. 측정 데이터에 나온대로 계산을 해보면
0.8eV 쉬프트된것을 고려해서 계산해보면
work function = hv-(E cutoff - Ef)
=21.22ev - (17.6eV-0eV)=  3.6 eV 가 나옵니다..

제가 계산을 잘못한것인가요? 어디가 잘못된것인지 알고싶습니다.

  • 돌아온백수 ()

    Detector metal 의 work function 과의 차이는 보정하셨나요? 그리고, cut-off 나 secondary electron on set 값을 보는 것이지, slow electrons 는 해석하기 나름일텐데요.

  • avaritia ()

    근데요. UPS 찍은 목적이 뭔가요? Pt 의 WF이 문헌값이랑 같은지 확인하려고 찍은건 아니잖아요? 증착 두께는 다른 실험으로 확인하셨나요? 증착된 Pt층의 모폴로지를 보기 위해서였다면, 먼저 할 일은 메탈의 WF에 영향을 주는 인자들이 무엇인지, 얼마나 영향을 주는지 등을 공부해야 하지 않을까요. Pt는 산화상태는 걱정 안해도 될거고 불순물 영향도 아닌 것 같으니 구조 쪽으로 보세요.

  • avaritia ()

    그리고 때린 UV의 파장을 안 적어 주셨는데 계산시 황당하게도 hv를 잘못 썼을 수도 있죠.
    딴 얘긴데, 전 XPS만 써봐서.. 증착 박막에 UPS는 사실 왜 하는지 잘 모르겠음.

  • 매직 ()

    다른 곳에서 다시 찍어보시는게 좋을 듯 싶습니다. UPS를 정말 제대로 아는 곳이라면, Binding energy 뿐만 아니라 Kinetic Energy도 같이 줍니다. Fermi edge가 0이 아닌 상태에서 찍으면, Binding energy로부터 Kinetic energy로 전환하는 데에 문제가 생길텐데.. 그리고 Pt가 Bulk가 아니라 박막이라면, Work function의 차이는 어느 정도 날 수 있습니다만 너무 나긴 합니다.
    그리고 UPS를 왜 찍는지 모르겠다는 분들은 Band structure를 국내에서 어떻게 봐야하는 지 모르시는 말씀들을 하시는 겁니다. 국내에서 Band Structure 볼 수 있는 방법은 UPS+Tauc Plot 조합으로 그리는 방법이 가장 쉬운 방법이고, Inverse PES가 국내에 장비가 제가 알기론 2대? 3대? 그것도 비공개로 진행되서, 일반 연구자는 찍을 수도 없어서 C.B.M.을 찾지도 못합니다. V.B.M.에다가 Optical bandgap 구해서 Band structure를 그려야 MIM이든 MOS든 설명을 하죠..

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