Urbana-Champaign에 있는 일리노이 대학의 연구진들은 세계최초로 발광 트랜지스터 (light emitting transistor, LET)를 개발했다.[1] 이 혼성 장치는 일반적인 트랜지스터의 전기적 출력과 함께 광신호의 출력을 낸다는 점을 제외하고는 다른 트랜지스터와 유사하다. 그림에서 삐뚤삐뚤하게 보이는 선이 LET의 광출력 포트에서 방출되는 적외선 광자를 나타낸다. 이 장치는 전기회로와 광회로 설계를 편리하고 빠른 하나의 패킷에 통합할 수 있도록 도움을 준다. LET를 개발한 연구진에는 최초의 실용 LED를 발명한 N. Holonyak, Jr.와 세계에서 가장 빠른 양극 트랜지스터를 개발한 M. Feng이 속해 있다.

출처 : Physics News Graphics
http://www.aip.org/mgr/png/2003/210.htm

[1] M. Feng, N. Holonyak, Jr., and W. Hafez, Applied Physics Letters, 84, pp. 151-153 (2004), “Light-emitting transistor: Light emission from InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors”