오늘날 더이상 회로의 크기를 줄일 수 없는 반도체 제작기술을 대체할 만한 유망한 대안 중 하나가 나노선(nanowire)의 배열을 이용하는 것이다.나노선을 잘 연결하면 작고 밀집도가 높은 트랜지스터를 만들 수 있다.

직경이 수 나노미터에 불과한 나노 선은 1 제곱 센티미터에 약 1조개의 트랜지스터를 집적시킨 반도체를 가능케 하며 1 나노미터는 1밀리미터의 백만분의 1에 해당한다.

이러한 나노 선의 배열은 자신보다 더 큰 전자기기의 회로(보기를 들면 컴퓨터같은)에 연결되어야 하는데 자신보다 더 큰 회로와 연결된 채 상대적으로 더 적은 제어선으로 수천개의 선의 무리에 자리잡은 특정 트랜지스터를 껐다 켰다 조절하는 것이 풀어야 할 당면한 과제이다.

하버드 대학과 칼텍의 연구자들은 선택된 나노선의 결합을 화학적으로 바꾸는 구조를 고안해냈으며 이 결합은 자신을 둘러싼 다른 결합들과는 달리 전류에 따라 다르게 반응한다.

화학적 변형은 교차점을 변형되지 않은 교차점 보다 더 전압에 민감하게 만든다. 그리고 이는 출력 선보다 훨씬 적은 제어선을 사용하여 나노선의 출력을 선택적으로 선별할 수 있게 한다.

이러한 방법으로 나노 크기의 부품을 보통 크기의 회로와 연결시킬수 있으며 이는 집적 기억소자나 기능성 나노 컴퓨터 구현에 필요한 논리회로 연구에 있어서 훌륭한 성과이다.

기억소자와 처리장치의 초기모델이 2~5년내에 완성될 것이며 상업적인 성과물은 5~10년내에 모습을 드러낼 것이라 연구자들은 말한다. 모든 결과는 2003년 11월 21일 Science에 발표되었다.

from Technology Research News January 30, 2004