안녕하세요~ 저는 photodetector에 관한 연구를 하고 있습니다.

반도체 p-n 접합을 형성시켜서 빛을 조사한 결과 광반응이 있어 여러 성능지수들을 측정 중에

NEP를 계산하여 detectivity를 알 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 근데 NEP를 계산하려면

noise current를 측정해야 하더군요... noise current의 측정이 중요한 것 같더군요.

여러 문헌들과 자료들을 읽어 봤는데 잘 이해가 되지 않아 이렇게 문의 드립니다.

noise current는 1 Hz의 bandwidth에서 측정한 것이라는데 1 Hz의 bandwidth의 개념을 모르겠습니다.

그리고 제일 중요한 것이 측정 방법인데 락인앰프 (특히 SR830)를 사용하고 전압 인가를 위해

배터리를 사용하여 측정하는 방법이 있는데 이것은 소자 양단을 직접 배터리로 연결하여 전압을 인가

하는 것인 거 같은데 배터리로만 연결하면 되는 것인가요? 축전기나 저항 같은 건 필요가 없는지...

어떤 회로를 만들어서 측정해야 하는 것인지... 

스펙트럼 분석기 (spectrum analyzer)를 사용하여 측정하는 방법 (스펙트럼 분석기로 측정하면

x축이 시간 축이 되는 건가요? 어떤 논문은 보니까 0 에서 1초 사이에 10 ms 간격씩 전압을 측정하여

voltage fluctuation을 RMS하여 noise current를 계산하였습니다. 이것을 측정하기 위해서는

스펙트럼 분석기가 필요한 것인가요?) 그리고 1 Hz 의 bandwidth는 장비의 integration time을 0.5 초로

하는 것과 일치한다고 되어 있더군요... 왜 그런지 설명해 주시면 감사하겠습니다.

일반 소스 미터로는 소자의 noise current를 측정할 수 없는 것인가요? 락인앰프도 꼭 SR830으로

측정해야 하는 것인지... 여러 논문들을 보니까 거의 SR830 락인앰프로 사용하여 직접적으로

noise current를 측정했다고 나와 있어서요. 스펙트럼 분석기도 없고 락인앰프는 있지만 SR830은

보유하고 있지 않아서요. 소자의 noise current를 측정하는 방법들을 설명해 주시기를

간곡히 부탁드립니다.