다른 사람들 의견

• 재료 (13-07-19 17:58)

    dislocation 은 1차원 선결함이므로 특정 dislocation을 관찰하려면 방향을 잘 선택해야 되겠죠.
  
  극단적으로 길쭉하게 생긴 dislocation이 늘어져 있는 방향과 평행한 방향을 측정한다면 표면부에는 dislocation이 전혀 존재하지 않게 되므로 측정이 안되고 뭐 그런 식으로
  
  GaN을 직접 다루어 보지 않아서 잘 모르겠지만, 아마 사파이어 위에 에피성장시킬텐데, 이 경우 GaN 결정 내에 특정 방향으로 주로 dislocation 들이 형성될 겁니다. 이걸 측정하려면 아마도 말씀하신 대로 (002)면하고 (102) 방향을 찍어야 나오는 듯 싶네요.

  dislocation 은 1차원 선결함이므로 특정 dislocation을 관찰하려면 방향을 잘 선택해야 되겠죠. 극단적으로 길쭉하게 생긴 dislocation이 늘어져 있는 방향과 평행한 방향을 측정한다면 표면부에는 dislocation이 전혀 존재하지 않게 되므로 측정이 안되고 뭐 그런 식으로 GaN을 직접 다루어 보지 않아서 잘 모르겠지만, 아마 사파이어 위에 에피성장시킬텐데, 이 경우 GaN 결정 내에 특정 방향으로 주로 dislocation 들이 형성될 겁니다. 이걸 측정하려면 아마도 말씀하신 대로 (002)면하고 (102) 방향을 찍어야 나오는 듯 싶네요.
• hithere (13-07-28 01:28)

    제가보기에는 002 102면 찍어서 reciprocal space에서 q값 비교함으로써 strain 등등 분석하려고 하는것 같은데요 ?

  제가보기에는 002 102면 찍어서 reciprocal space에서 q값 비교함으로써 strain 등등 분석하려고 하는것 같은데요 ?