Synchronouse DRAM 만의 특징이아니라, DRAM (Dynamic Random Access Memory), 혹은 SRAM(static RAM) 에서 같이 사용할 수 있는 기술입니다. precharge 는 bit line 들의 기생 캐패시턴스가 셀 캐패시턴스 보다 큰 경우에 사용하면, 신호대 잡음비를 높일 수 있는 한 방법입니다. DRAM 만의 특징은 refresh 이죠.

  snr 도 그렇지만...precharge 를 하는 이유는 속도지요. bit line에 센스 앰프 물려 놓고 각 셀의 캐패시터에 연결된 스위치를 닫으면 입력되는 charge 에 따라 high 가거나 low 로 떨어지게 되는데, (0->vdd, 0->0 디퍼런셜 구성이라 출력이 둘입니다.) bit line 마다 물려있는 sense 앰프가 그리 좋은 성능이 아니기 때문에 풀스윙을 하려면 많은 시간이 필요하게 됩니다. 따라서 미리 bit line vdd/2 로 미리 충전을 해놓으면 sensing 하는데 있어 프리차지 안할때에 비해 대략 그 절반의 속도만 필요하게 되지요.(vdd/2->0, vdd/2->vdd) 자세한 것은 관련 서적을 참조하세요. idec 에서 한글책도 많이 나왔더만요.

  Precharge 를 vdd/2 로만 사용하는 것은 아닙니다. vdd 로 사용하는 경우도 있지요. 물론, 속도도 당연히 고려의 대상이지요. 하지만, 센스앰프가 풀스윙을 도와주는 것이지, 풀 스윙을 센싱하는 것이 아니라는 것을 이해해 주세요.

  vdd precharge 는 nmos 시절에 사용하였습니다. nmos만 사용할 수 있으므로 캐패시터 부하에 전류를 끌어내기는 쉬웠던 반면에 공급하기는 어려웠기 때문에 vdd precharge 를 했더랬습니다. 근데 현재 cmos 공정에서는 앞에서 말했던 속도 문제로 거의 대부분이 vdd/2 를 사용합니다... cell cap의 미소한 charge의 유입에 따른 두 bit 라인의 전압차를 증폭시켜서 logic high 냐 low 냐를 결정하므로 전하를 유입시키기 전에 출발점을 맞춰주지 않음 안되겠지요. 그래서 precharge 를 하는거네요. 지금 보니까 백수님의 답이 훨씬 좋네요. 제 답은 동문서답?..그리고..이미 풀스윙한걸 센싱한 이유는 없지요. 버퍼라 하면 모를까. 백수님은 농담도 잘하시네요.

  말씀하시는 속도는 precharge 에 걸리는 시간이지요? 센싱에 걸리는 시간은 아니라고 이해합니다. precharge 에 걸리는 시간은 걸어주는 전압과 관계가 있지요. 하지만, vdd/2 를 사용하게 되면, 또다른 전원발생장치가 필요하게 되는 셈이고, 금속 배선에 한층이 더 생기는 것과 같은 부하가 걸립니다. 물론 이런 것들을 종합적으로 고려해서 최종 결정됩니다만, 신뢰성믈 강조하는 경우에는 vdd 를 쓰는 것이 좋습니다.

  센싱에 걸리는 속도입니다. 프리 차지는 전류 구동이 쉽기 때문에 vdd로 하나 vdd/2 로 하나 시간 차가 크지 않습니다. 그러나 sense 앰프는 각 bit 라인마다 있기 때문에 성능보단 사이즈를 줄이기 위해 최적화 되거든요. 그래서 전류 드라이브 능력이 매우 떨어집니다. 아무래도 같은 slew rate 에선 vdd->0 보단 vdd/2->0 쪽이 빠르니까요.... 물론 간단한 시스템이 신뢰도가 높습니다. 같은 일을 한다면 복잡한 구조를 선택할 이유가 없지요. 어플리케이션에 따라 어떤 특성를 최적화시킬지는 설계자의 몫이겠고요.