반도체 질문 입니다.
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hithere 작성일2011-11-16 20:06관련링크
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MOSFET I-V 특성에서 Vd를 어느정도 증가시키다 보면 드레인 사이에 게이트와 전위차가 Vth보다 작아지고 채널이 pinch off가 됩니다. N 채널 FET라고 보면 공핍층의 공간 전하는 -이온이고 생성되는 E 필드가 전자를 휩쓸 수있는 방향이라 전류가 흐르는 건 알겠지만 세츄레이션 되는 정확한 이유를 설명하지 못하겠습니다.
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link41님의 댓글
link41
기판층을 depletion시키고 체널을 인가하는 driving force는 Vg와 Vd의 차이로 결정이 되는데(같은 부호 이기 때문에) 이때 Vd가 너무 커지게 돼면 문턱전압 이상의 Vg도 제 구실을 못하기 때문에 체널이 없어집니다.
라고 대강 알고있어요
