GaN 도핑시 왜 Nitride site에 도핑이 되지 않나요?
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superlattice 작성일2013-09-09 22:40관련링크
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GaN 도핑시 왜 Nitride site에 도핑이 되지 않나요?
n-type 도핑시 Si을 사용하는데
당연하다고만 생각했던 도핑이
왜 Nitride쪽으로는 도핑이 안될까요?
원자반지름때문에 그런가요?
n-type 도핑시 Si을 사용하는데
당연하다고만 생각했던 도핑이
왜 Nitride쪽으로는 도핑이 안될까요?
원자반지름때문에 그런가요?
댓글 2
avaritia님의 댓글
avaritia
(전 반도체 재료 전공은 아닙니다)
도핑이라는 것이 기본적으로 atomic substitution 이니까 사이즈가 맞는 사이트로만 들어가구요.
딴 얘긴데 만약 Si 가 N 사이트를 치환한다면 그건 p-type 도핑이 되겠네요.
Ga-As 에서는 어떤가요? 갑자기 궁금하네요.
superlattice님의 댓글
superlattice
GaAs에서는 As쪽에 도핑이 된다고 하네요.
Nitride 원자반경이 65pm 정도이고 공유반지름이 75pm정도라네요.
이에 비해 Ga 130pm의 원자반지름, 126pm의 공유반지름..
Si이 110pm의 원자반지름, 111pm의 공유반지름
이를 통해서 유추해보면 N-site쪽에는 Si 원자가 Nitride보다 커서 도핑이 안된다라는 생각이 드는데요...
정확히 아시는분 없을까요?
