GaN 도핑시 왜 Nitride site에 도핑이 되지 않나요?
- 글쓴이
- superlattice
- 등록일
- 2013-09-09 22:40
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GaN 도핑시 왜 Nitride site에 도핑이 되지 않나요?
n-type 도핑시 Si을 사용하는데
당연하다고만 생각했던 도핑이
왜 Nitride쪽으로는 도핑이 안될까요?
원자반지름때문에 그런가요?
n-type 도핑시 Si을 사용하는데
당연하다고만 생각했던 도핑이
왜 Nitride쪽으로는 도핑이 안될까요?
원자반지름때문에 그런가요?
다른 사람들 의견
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avaritia
()
(전 반도체 재료 전공은 아닙니다)
도핑이라는 것이 기본적으로 atomic substitution 이니까 사이즈가 맞는 사이트로만 들어가구요.
딴 얘긴데 만약 Si 가 N 사이트를 치환한다면 그건 p-type 도핑이 되겠네요.
Ga-As 에서는 어떤가요? 갑자기 궁금하네요. -
superlattice
()
GaAs에서는 As쪽에 도핑이 된다고 하네요.
Nitride 원자반경이 65pm 정도이고 공유반지름이 75pm정도라네요.
이에 비해 Ga 130pm의 원자반지름, 126pm의 공유반지름..
Si이 110pm의 원자반지름, 111pm의 공유반지름
이를 통해서 유추해보면 N-site쪽에는 Si 원자가 Nitride보다 커서 도핑이 안된다라는 생각이 드는데요...
정확히 아시는분 없을까요?
