현재 LED를 전공으로 하고 있는 학생입니다.

LED 소자내부에서 일어나는 recombination 현상을 공부하던 도중

예전에 사용하던 DH구조가 QW로 변화하면서 LED Performance가 더욱 개선되었다는 것을 알게 되었습니다.

여기서 질문은

마이크로 단위인 DH구조와 나노스케일 구조인 QW구조로 바뀌면서 실질적으로 어떠한 현상 때문에 recombination rate이 증가 되었는지 근본적인 원인을 알고 싶습니다.

제가 알고 있는 내용은 DH구조에서는 커다란 well에 carrier가 넓은 영역에 걸쳐 존재하기 때문에
그 농도가 적어 Recombination rate가 낮은거라 알고 있고
이에 반해 QW구조는 나노사이즈의 여러 well안에서 carrier들이 효과적으로 recombination 할 수 있다 라는 것입니다. 또한 QW구조에서는 subband라 하는 wavefunction overlapping 으로 만들어진 여러 에너지 준위라는 것이 생긴다. band witdh를 조절하여 이 sub band의 높낮이를 조절할 수 있다.
이정도 입니다.

왜 더 좁아진 well안에 들어간 carrier들이 recombination rate이 높은 걸까요?
제 생각만으로는 DH구조에 높은 전류를 주입해 줌으로써 커다란 well이 가득찰 정도로 carrier들을
공급하면 더 많은 recombination이 발생하지 않을 까 라는 생각이 듭니다.