MIM capacitor 전기적특성 측정방법
- 글쓴이
- 회사공돌이
- 등록일
- 2021-04-01 14:33
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안녕하세요
반도체 소재회사에서 증착평가를 하고있는 회사원입니다
이번에 회사에서 TiN/SiO2/TiN/si wafer 구조의 MiM capacitor를 제작하여 소자특성을 평가하려고 진행중입니다.
상부전극은 정사각형으로 제작하였고 하부전극은 Dry etcher를 통해 노출을 시킨상태입니다.
근데 상부전극과 하부전극의 크기가 다른데 이렇게 해서 C-V, I-V를 찍어서 나오는 데이터가 맞는 데이터인가요?
아니면, 하부 전극도 상부전극과 같은 크기와 모양으로 식각해서 다른방법으로 컨택해서 측정해야 할까요...
Capacitor를 제작해보셨거나 측정해보신분들 도움부탁드립니다...!!ㅜ
반도체 소재회사에서 증착평가를 하고있는 회사원입니다
이번에 회사에서 TiN/SiO2/TiN/si wafer 구조의 MiM capacitor를 제작하여 소자특성을 평가하려고 진행중입니다.
상부전극은 정사각형으로 제작하였고 하부전극은 Dry etcher를 통해 노출을 시킨상태입니다.
근데 상부전극과 하부전극의 크기가 다른데 이렇게 해서 C-V, I-V를 찍어서 나오는 데이터가 맞는 데이터인가요?
아니면, 하부 전극도 상부전극과 같은 크기와 모양으로 식각해서 다른방법으로 컨택해서 측정해야 할까요...
Capacitor를 제작해보셨거나 측정해보신분들 도움부탁드립니다...!!ㅜ
다른 사람들 의견
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늘그대로
()
같은 모양으로 측정해 본 적은 없지만, 원리적으론 하부전극을 식각하지 않아도 맞는 데이타일 것 같습니다. 단지 패턴의 크기가 작은 경우 전기장이 새어나가기 때문에 이론치하고 정확히 맞지는 않습니다.
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회사공돌이
()
감사합니다 ㅎㅎ
