N-MOS 소자 관련 질문
- 글쓴이
- principia
- 등록일
- 2011-07-27 21:43
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- 3,835회
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안녕하세요
N-MOSFET 소자에 대해 질문이 있어서 글을 올립니다.
현재 N-MOSFET 공정을 진행 시켜서 소자 특성을 분석하는 중인데
공정된 N-MOS 소자는 gate channel 영역 크기가 900um(L)X600um(W)로
상당히 큰 편이며 Gate oxide(30nm, by dry oxidation) 및 Au/Cr Metal로 이루어져 있습니다.
Issue가 되는 부분은 gate oxide의 두께가 30nm로 충분히 두꺼운 것으로
여겨지는데도 불구하고(tunneling은 아닌 것으로 생각됩니다.)
leakage current가 uA수준으로 측정이 되어서 이 부분에 대해 분석을 하고 있으나
기계공학과 학생이라 전공 지식 상의 한계 때문에 자문을 구하고 있습니다.
조언 또는 자문 및 상담을 받을 수 있는 곳이라도 알려 주신다면
대단히 감사하겠습니다.(smmath2@postech.ac.kr)
무더운 여름 항상 건강 유의하시고
하시는 일들에 많은 성과가 있으시길 바랍니다.
N-MOSFET 소자에 대해 질문이 있어서 글을 올립니다.
현재 N-MOSFET 공정을 진행 시켜서 소자 특성을 분석하는 중인데
공정된 N-MOS 소자는 gate channel 영역 크기가 900um(L)X600um(W)로
상당히 큰 편이며 Gate oxide(30nm, by dry oxidation) 및 Au/Cr Metal로 이루어져 있습니다.
Issue가 되는 부분은 gate oxide의 두께가 30nm로 충분히 두꺼운 것으로
여겨지는데도 불구하고(tunneling은 아닌 것으로 생각됩니다.)
leakage current가 uA수준으로 측정이 되어서 이 부분에 대해 분석을 하고 있으나
기계공학과 학생이라 전공 지식 상의 한계 때문에 자문을 구하고 있습니다.
조언 또는 자문 및 상담을 받을 수 있는 곳이라도 알려 주신다면
대단히 감사하겠습니다.(smmath2@postech.ac.kr)
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