다른 사람들 의견

• Signal (11-03-26 02:33)

    PECVD가 크게 차이나는것은 없습니다.
  조건을 조금씩 달리한다거나, nitride를 PECVD가 아닌 다른방법으로 올려 실험한다거나 하는 차이는 있을 수 있지만, 그게 CMOS와 MEMS의 차이는 아닙니다.
  
  제가 알기로는 차이가 있다면 MEMS의 경우 두꺼운 nitride막이 필요해서 증착속도가 빠른놈을 선택해서 쓴다더군요...그리고 기판도 면지수가 다른 것을 사용합니다

  PECVD가 크게 차이나는것은 없습니다. 조건을 조금씩 달리한다거나, nitride를 PECVD가 아닌 다른방법으로 올려 실험한다거나 하는 차이는 있을 수 있지만, 그게 CMOS와 MEMS의 차이는 아닙니다. 제가 알기로는 차이가 있다면 MEMS의 경우 두꺼운 nitride막이 필요해서 증착속도가 빠른놈을 선택해서 쓴다더군요...그리고 기판도 면지수가 다른 것을 사용합니다
• kdyang (11-03-27 15:55)

    다른 조건이 다 똑같아 보이는데도 장비를 구분해 사용한다면, 오염 문제 때문일 가능성이 높습니다. 모든 MEMS소자가 그런 것은 아니지만 일부 MEMS 소자들은 CMOS소자의 성능을 떨어뜨릴 수 있는 요인을 제공하는 소재나 공정을 사용하기도 합니다. CMOS 소자는 아주 소량(수백만~수십억분의 1정도?)의 금속이온 또는 기타 오염원의 존재에 의해 그 성능이 저하될 수 있으므로, 오염원의 제어 측면에서 MEMS 소자가 사용하는 장비와 CMOS 소자가 사용하는 장비를 구분할 수 있습니다. 만약 CMOS와 MEMS를 엄밀하게 구분하는 라인에서 CMOS 장비를 꼭 사용하시고 싶다면 해당 웨이퍼가 매우 깨끗한 상태임을 증명하셔야 할 겁니다.

  다른 조건이 다 똑같아 보이는데도 장비를 구분해 사용한다면, 오염 문제 때문일 가능성이 높습니다. 모든 MEMS소자가 그런 것은 아니지만 일부 MEMS 소자들은 CMOS소자의 성능을 떨어뜨릴 수 있는 요인을 제공하는 소재나 공정을 사용하기도 합니다. CMOS 소자는 아주 소량(수백만~수십억분의 1정도?)의 금속이온 또는 기타 오염원의 존재에 의해 그 성능이 저하될 수 있으므로, 오염원의 제어 측면에서 MEMS 소자가 사용하는 장비와 CMOS 소자가 사용하는 장비를 구분할 수 있습니다. 만약 CMOS와 MEMS를 엄밀하게 구분하는 라인에서 CMOS 장비를 꼭 사용하시고 싶다면 해당 웨이퍼가 매우 깨끗한 상태임을 증명하셔야 할 겁니다.